SOI基板の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183578
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030998
特許番号：特許第3932442号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ベースシリコン層と半導体シリコン層を提供する段階;前記ベースシリコン層上に埋め込み酸化膜を形成する段階;前記半導体シリコン層内に不純物層を形成する段階;前記半導体シリコン層にトレンチを形成する段階;前記ベースシリコン層上の埋め込み酸化膜と前記半導体シリコン層のトレンチの形成面がコンタクトされるように、前記ベースシリコン層と半導体シリコン層をボンディングする段階;所望の厚さの半導体層が得られかつ前記トレンチの底面部が露出するように、前記半導体シリコン層をエッチバックする段階;前記トレンチ以外の半導体層上にエッチング停止層を形成する段階;前記半導体層とエッチング停止層との積層物間の領域が埋め込まれる厚さで酸化膜を形成する段階;前記エッチング停止層を用いて前記酸化膜をエッチングすることにより、前記半導体層とエッチング停止層との積層物間の領域に酸化膜からなる素子分離膜を形成する段階;及び、前記エッチング停止層を除去する段階を含み、前記不純物層はホウ素イオン層であることを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) , H01L 21/762 ( 200 6.01) , H01L 27/12 ( 200 6.01) , H01L 21/76 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/02 B , H01L 21/76 D , H01L 27/12 B , H01L 27/12 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265057 出願人：日本電装株式会社
特開平4-365377
特開平4-181756

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-265057 出願人：日本電装株式会社
特開平4-365377
特開平4-181756

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