特許
J-GLOBAL ID:201103057159600543

電力用半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生 ,  村上 啓吾
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-001273
公開番号(公開出願番号):特開2011-142172
出願日: 2010年01月06日
公開日(公表日): 2011年07月21日
要約:
【課題】小型で、熱サイクルを受けても信頼性の高い電力用半導体装置を得ることを目的とする。【解決手段】絶縁基板1に形成された回路パターン2上に取り付けられた複数の半導体素子3と、複数の半導体素子3のうち、少なくとも2つの半導体素子3A、3Bの電極間を橋架するように接合された帯状のリード部材4と、を備え、リード部材4は、2つの半導体素子3A、3Bの電極との橋げた部分4g2において、帯状部分(主桁部4gM)の長さ方向(x)の応力に対して帯状部分の面方向(xy)内で撓むように形成された撓み部4gBを有するように構成した。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁基板に形成された回路パターン上に取り付けられた複数の半導体素子と、 前記複数の半導体素子のうち、少なくとも2つの半導体素子の電極間を橋架するように接合された帯状のリード部材と、を備え、 前記リード部材は、前記2つの半導体素子の電極との橋げた部分において、帯状部分の長さ方向の応力に対して帯状部分の面方向内で撓むように形成された撓み部を有することを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (2件):
H01L21/60 321E ,  H01L25/04 C
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭57-096561
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2005-011397   出願人:三菱電機株式会社

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