特許
J-GLOBAL ID:201103057299527064

高音圧領域形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西澤 利夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-010439
公開番号(公開出願番号):特開2011-151558
出願日: 2010年01月20日
公開日(公表日): 2011年08月04日
要約:
【課題】スピーカアレイを用いたときに、それぞれの音の干渉を抑制し、S/N比にすぐれた高音圧領域を形成することができる高音圧領域形成方法を提供する。【解決手段】複数のスピーカを直線状又は平面状に配置してなるスピーカアレイの各スピーカからの音声信号の位相及び音量を制御して高音圧領域を形成する方法において、各スピーカの音圧を、高音圧領域に対する各スピーカの距離が遠くなるに従い小さくなるように制御することによりサイドローブを抑制する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
複数のスピーカを直線状又は平面状に配置してなるスピーカアレイの各スピーカからの音声信号の位相及び音量を制御して高音圧領域を形成する方法において、各スピーカの音圧を、高音圧領域に対する各スピーカの距離が遠くなるに従い小さくなるように制御することによりサイドローブを抑制することを特徴とする高音圧領域形成方法。
IPC (2件):
H04R 3/00 ,  H04R 1/40
FI (2件):
H04R3/00 310 ,  H04R1/40 310
Fターム (3件):
5D018AF16 ,  5D018AF22 ,  5D020AC01

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