特許

J-GLOBAL ID：201103057605757613

半導体装置

発明者： 下井田 良雄 ,  三原 輝儀
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (8件)： 三好 秀和 ,  三好 保男 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-243096
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057335
特許番号：特許第3539368号
出願日： 2000年08月10日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のドレインセルと、当該ドレインセルの周りに配置されたゲート電極と、隣接する前記ドレインセルの間に前記ゲート電極を介して配置された複数の単位セルとを同一の半導体基体上に有するパワー素子部と、前記半導体基体とは異なる基板上に配置され、前記ドレインセルに印加された過電圧を検知して、オフ状態の前記パワー素子部をオン状態にする過電圧保護回路とを有し、前記複数の単位セルのなかの少なくとも1個の単位セルは、ドレイン定格電圧以下の電圧で降伏するツェナーダイオードを構成するツェナーセルであり、残りの単位セルは、前記ツェナーセルに接続されたソースセルであることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/088

FI (7件)：

H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 656 C ,  H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 双方向電圧クランピングを有するトレンチゲート形MOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-240565   出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-291660   出願人：日産自動車株式会社
• 過電圧保護用半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-063312   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト