特許
J-GLOBAL ID:201103057621341575
低反射性・低抵抗性導電膜およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-013472
公開番号(公開出願番号):特開2002-216543
特許番号:特許第4647108号
出願日: 2001年01月22日
公開日(公表日): 2002年08月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 主成分がITO粒子で形成された第1層と、主成分がシリカで形成された第2層とを備え、
前記第2層は、不飽和結合を有する有機物および無機塩を含有しており、
前記不飽和結合を有する有機物が、アセチルアセトン、8-キノリノール、フルフリルアルコール、アセトアルデヒド、ホルムアルデヒドからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
前記無機塩が、In、Ag、Li、Sn、Co、Ni,Fe、Sb、Znの硝酸塩および塩酸塩からなる群より選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする、低反射性・低抵抗性導電膜。
IPC (7件):
H01B 5/14 ( 200 6.01)
, B32B 7/02 ( 200 6.01)
, B32B 9/00 ( 200 6.01)
, H01B 1/20 ( 200 6.01)
, C09D 1/00 ( 200 6.01)
, C09D 5/24 ( 200 6.01)
, C09D 183/02 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01B 5/14 A
, B32B 7/02 103
, B32B 9/00 A
, H01B 1/20 Z
, C09D 1/00
, C09D 5/24
, C09D 183/02
引用特許: