特許
J-GLOBAL ID：200903065089656699
低反射性透明導電膜とその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237063
公開番号（公開出願番号）：特開平9-076401
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月25日
要約：
【要約】【課題】 ブラウン管表面に、可視光最低反射率が0.5 %以下、ヘーズが0.5 %以下、好ましくは0.3 %以下、表面抵抗値が105 Ω/□台以下、好ましくは 103〜104 Ω/□台、全可視光線透過率が75%以上、好ましくは80%以上の、低反射性と電磁波シールド性を備え、紫〜青味または赤〜黄色味の反射光のない無色の透明導電膜を形成する。【解決手段】 Snドープ酸化インジウム微粉末を含有する下層皮膜とシリカ質上層皮膜からなる2層皮膜をブラウン管上に形成し、下層と上層の少なくとも一方の皮膜に黒色導電性微粉末 (例、チタンブラック) を含有させる。下層皮膜は、無バインダー型塗料またはバインダーとしてアルコキシシランおよび/またはその加水分解物を含有する塗料から形成する。【効果】 外部映像の映り込みによる視認性低下とブラウン管からの電磁波漏洩とを防止できる。
請求項（抜粋）：
錫ドープ酸化インジウム微粉末を含有する下層皮膜と、シリカ質の上層皮膜とからなり、前記下層皮膜および上層皮膜の少なくとも一方がさらに黒色導電性微粉末を含有し、下層皮膜と上層皮膜の合計量に基づいて、錫ドープ酸化インジウム微粉末の量が40〜75重量%、黒色導電性微粉末の量が1〜25重量%である、透明基体の表面に形成された、低反射性、電磁波シールド性の無色透明導電膜。
IPC (4件)：
B32B 9/00
, B32B 7/02 104
, H01J 9/20
, H01J 29/88
B32B 9/00 A
, B32B 7/02 104
, H01J 9/20 A
, H01J 29/88
