レーザダイオード、半導体発光装置および製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240067
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057404
特許番号：特許第4599687号
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成された第1導電型の第1クラッド層と、上記第1クラッド層の上層に形成された活性層と、上記活性層の上層に形成された第2導電型の第2クラッド層と、上記第2クラッド層上のストライプ領域において、上記第2クラッド層の上層に形成された第2導電型の第3クラッド層と、上記第3クラッド層の上層に形成されたコンタクト層と、上記ストライプ領域を除く領域における上記第2クラッド層および上記コンタクト層に接するように形成された電極とを有し、上記電極への所定の電圧の印加により、上記電極から上記コンタクト層を介して第1電流が注入されて上記活性層近傍のレーザ光発振領域からレーザ光を出射する際に、上記レーザ光発振領域の端部の電流が拡散されて上記レーザ光発振領域の端部に可飽和吸収領域を形成して自励発振するように、上記ストライプ領域を除く領域において上記電極から上記第2クラッド層を介して上記第1電流よりも小さい第2電流が注入されるレーザダイオード。

IPC (4件)：

H01S 5/065 ( 200 6.01) , G11B 7/125 ( 200 6.01) , G11B 7/22 ( 200 6.01) , H01S 5/22 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01S 5/065 , G11B 7/125 A , G11B 7/22 , H01S 5/22 , H01S 5/22 610

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平3-156988
特開昭63-254785
特開昭50-071281

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審査官引用 (2件)

特開平3-156988
特開昭63-254785

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