特許
J-GLOBAL ID：201103057716005661
絶縁膜およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 雅紀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167837
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043314
特許番号：特許第3616035号
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】酸素ガスを使用し、基板上に絶縁膜を形成するための酸化性雰囲気を構成する段階と、 テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用し、前記絶縁膜を形成するための第1シード層を前記基板上に形成する段階と、 トリエチルボレート(TEB)、テトラエチルオルトシリケートおよび酸素ガスを使用し、ホウ素の添加量を調節可能である絶縁膜を形成するための第2シード層を前記第1シード層上に形成する段階と、 トリエチルボレート、トリエチルホスフェート(TEPO)、テトラエチルオルトシリケートおよびオゾンガスを使用し、前記第1シード層および前記第2シード層を含む基板上にホウ素および燐の添加量を調節可能であるBPSG膜を形成する段階とを含むことを特徴とする絶縁膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/316 X
, H01L 21/90 P
