特許

J-GLOBAL ID：201103057956298810

プラズマビーム生成装置

発明者： 木山 浩子
出願人/特許権者： 工業技術院長
代理人 (1件)： 220000356 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-117253
特許番号：特許第3076843号
出願日： 1999年04月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 高密度プラズマを生成するプラズマ源から、引き出し電極、加速電極、減速電極の3枚の多孔電極を用いてイオンを引き出し、イオンの空間電荷を中性化電子源を用いて中和する、半導体プロセッシングのための、イオンエネルギーが100 eV以下のプラズマビーム生成装置であって、上記引き出し電極と上記加速電極の間隔が1.0 mm以下で、上記引き出し電極の厚さが1.0 mm以下で、引き出し電極が加速電極方向に凹レンズのように加工してあり、上記3枚の多孔電極を高融点かつ高熱伝導材料で構成し、上記中性化電子源を制御することによって収束した大電流イオンビームと、電子温度が0.5 eV以下で制御可能な電子で構成されたプラズマビームの空間電位が0〜50Vに制御可能なプラズマビームを長時間、安定して生成することを特徴とするプラズマビーム生成装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 D ,  C23F 4/00 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-020437
  
• 中性ビーム発生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-045257   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭60-020440