特許
J-GLOBAL ID：201103058032583077

半導体装置及びその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
秋元 健吾

秋元 健吾 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-117995
公開番号（公開出願番号）：特開2011-009719
出願日： 2010年05月24日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：
【課題】アクティブマトリクス型の表示装置においては、回路を構成する薄膜トランジスタの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタガ型の薄膜トランジスタに水素を徹底的に排除した酸化物半導体膜を用い、電気特性のバラツキを低減する。【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体層の成膜は、酸素が流量比で50%以上100%以下含まれる雰囲気中で行う。また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が3原子%以上30原子%以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極と、 前記ゲート電極上に第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に酸化物半導体層と、 前記酸化物半導体層上に第2の絶縁膜と、 前記第2の絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を有し、 前記ソース電極及びドレイン電極は、前記第2の絶縁膜に設けられた開口を介して前記酸化物半導体層に電気的に接続し、 前記第1の絶縁膜及び前記第2の絶縁膜は、窒素を3原子%以上30原子%以下含む酸化窒化珪素膜からなり、 前記酸化物半導体層のチャネル形成領域が、前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜で挟まれていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G09F 9/30 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50
FI (10件)：
H01L29/78 627B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 618A ,  G09F9/30 338 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A
Fターム (125件)：
2H092GA59 ,  2H092HA04 ,  2H092JA26 ,  2H092JA36 ,  2H092JA40 ,  2H092JA44 ,  2H092JA46 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092JB57 ,  2H092JB58 ,  2H092KA08 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092KB14 ,  2H092KB22 ,  2H092KB24 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092PA06 ,  2H092PA08 ,  2H092PA09 ,  2H092PA10 ,  2H092QA07 ,  2H092QA09 ,  2H092QA13 ,  2H092QA14 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC21 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  3K107FF04 ,  3K107FF14 ,  3K107GG05 ,  3K107HH05 ,  5C094AA03 ,  5C094AA21 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094FB14 ,  5C094FB20 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA20 ,  5F110AA08 ,  5F110BB02 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK42 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL08 ,  5F110HL09 ,  5F110HL12 ,  5F110HL14 ,  5F110HL23 ,  5F110HL26 ,  5F110NN03 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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