特許
J-GLOBAL ID：200903082148801209
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
清原 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-314818
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194594
出願日： 2006年11月21日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】 酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層を有する薄膜トランジスタにおいて、薄膜トランジスタのチャネルを形成する酸化物半導体薄膜層中の水素濃度を制御する事により、酸化物半導体薄膜層の導電率を制御し、リーク電流の抑制、しきい電圧の低減、電子移動度の向上といった効果を奏する薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタである。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
基板上にチャネルとして形成される酸化亜鉛を主成分とする酸化物半導体薄膜層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを少なくとも有し、該酸化物半導体薄膜層中に水素を少なくとも含有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L29/78 618B
, H01L29/78 618F
5F110AA01
, 5F110AA06
, 5F110AA08
, 5F110BB01
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF09
, 5F110GG04
, 5F110GG32
, 5F110GG33
, 5F110GG34
, 5F110GG43
, 5F110HK07
, 5F110HL07
, 5F110NN03
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110NN72
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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