高分子化合物の成形方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332776
公開番号（公開出願番号）：特開2000-219747
特許番号：特許第3398350号
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2000年08月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ポリスクシンイミド系重合体および/またはポリスクシンイミド系共重合体を、沸点が50〜150°Cでありかつ20°Cでの比誘電率が20以上である溶媒の存在下で加熱、溶融して成形することからなるポリスクシンイミド系重合体および/またはポリスクシンイミド系共重合体の成形方法。

IPC (5件)：