特許

J-GLOBAL ID：201103058756178751

金属含有構造を形成する方法

発明者： マニラッディン・ニーム
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000006
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265892
特許番号：特許第3304309号
出願日： 1999年01月04日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上の誘電体構造の上に金属含有構造を形成する方法において、(a)誘電体層,下部導電バリア層,導電金属層,上部導電バリア層、およびパターニングされたマスク層を有する半導体基板を設ける工程を含み、前記下部導電バリア層は前記誘電体層の上に設けられ、前記導電金属層は前記下部導電バリア層の上に設けられ、前記上部導電バリア層は前記導電金属層の上に設けられ、前記パターニングされたマスク層は、前記上部導電バリア層の一部が露出するように前記上部導電バリア層の上に設けられ、(b)前記半導体基板を処理する工程を含み、この工程は、(i)前記上部導電バリア層の露出部分を、反応性イオンエッチング条件の下で、第1の圧力で第1の混合ガスと接触させて、前記上部導電バリア層の一部をエッチングして、前記導電金属層の一部を露出させる工程を含み、(ii)前記導電金属層の前記露出部分を、反応性イオンエッチング条件の下で、第2の圧力で第2の混合ガスと接触させて、前記下部導電バリア層を露出させないで、前記導電金属層内部のバルクを異方性エッチングする工程を含み、前記第2の混合ガスは、前記第1の混合ガスと異なる組成を有し、(iii)工程(ii)による前記導電金属層の残りの露出部分を、反応性イオンエッチングの条件の下で、第3の圧力で第3の混合ガスと接触させて、前記導電金属層の前記残りの露出部分を異方性エッチングして、前記下部導電バリア層の一部を露出させる工程を含み、前記第3の混合ガスは、前記第1および第2の混合ガスとは異なる組成を有し、(iv)前記下部導電バリア層の前記露出部分を、反応性イオンエッチング条件の下で、第4の圧力で第4の混合ガスと接触させて、下側の前記誘電体層の一部を出現させる工程を含み、前記第4の混合ガスは、前記第2および第3の混合ガスと異なる組成を有し、(c)前記マスク層を除去して前記金属含有構造を出現させる工程を含み、前記金属含有構造は、前記導電金属層および前記導電バリア層の残りの部分を有することを特徴とする、金属含有構造を形成する方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭54-109775
  
• LSI配線膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068172   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開昭63-108752
  
• 特開昭60-115246