特許

J-GLOBAL ID：201103058943807053

ポリマー層の平坦化方法

発明者： シンシア・フェアコック ,  井場淳一郎 ,  ヨアヒム・ニュッツェル ,  矢野博之
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション ,  株式会社東芝 ,  インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション
代理人 (3件)： 坂口 博 (外1名) ,  坂口 博 (外2名) ,  松井 光夫 (外4名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210311
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077064
特許番号：特許第3444491号
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】少なくとも1つのトレンチ及び少なくとも1つの誘電体層を表面に有する半導体基板の全表面上に付着されたポリマー層を平坦化するための方法であって、水酸化トリメチルアンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、及び、水酸化アンモニウムから選択された少なくとも1つのメンバを含む水性組成物を含み、且つ、研磨材を含まないところの研磨組成物を使用して化学機械研磨を行うステップを含み、前記化学機械研磨は前記ポリマー層が前記誘電体層に対して選択的に研磨されて前記誘電体層上で停止する、前記方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/306

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 H ,  C09K 13/00 ,  H01L 21/306 M

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-100574   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-100574   出願人：富士通株式会社