特許
J-GLOBAL ID：201103059088718001
縦型MOSFETの製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038678
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036595
特許番号：特許第3924085号
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)第1導電形半導体層の表面にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
(b)該ゲート電極をマスクとして第2導電形不純物を導入して拡散することにより、前記ゲート電極の下側に入り込む第2導電形拡散領域を形成し、
(c)前記ゲート電極をマスクとして、前記第2導電形拡散領域の表面に第1導電形不純物を導入し、
(d)前記導入された第1導電形不純物を拡散することによりソース領域を形成し、
(e)該ソース領域に電気的に接続してソース電極を、前記第1導電形半導体層に電気的に接続してドレイン電極をそれぞれ形成する
縦型MOSFETの製法であって、
前記(a)工程から前記(d)工程の前までのいずれかの工程で前記少なくともゲート電極上に第1導電形の不純物をドープした絶縁膜を設けておき、前記(b)工程および/または(d)工程の拡散時に前記絶縁膜の不純物を前記ゲート電極を経由して前記第1導電形半導体層に拡散させることにより、該第1導電形半導体層との境界の前記第2導電形拡散領域の表面側に、凹んだ形状を形成することを特徴とする縦型MOSFETの製法。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 658 D
