フラッシュメモリ用途のための傾斜付きまたは段階的ゲートチャネル消去

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：佐野良太 , 鈴木正剛 , 村松義人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-617455
特許番号：特許第3811760号
出願日： 2000年05月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】各々がソース、ドレイン、フローティングゲート、ウェルおよびコントロールゲートを有する複数のトランジスタメモリセルを含むフラッシュ電気消去可能プログラマブル読出専用メモリ(EEPROM)を消去するための方法であって、 (a)消去対象のトランジスタメモリセルのコントロールゲートとウェルとの間に電圧Vを印加するステップと、 (b)前記電圧VをΔVだけ増分して、その結果、新たな電圧を生じさせるとともに、前記トランジスタメモリセルのうちの選択された数に対して消去確認動作を実行するステップと、 (c)前記選択された数のトランジスタメモリセルが前記消去確認動作に合格するまでステップ(b)を繰り返すステップとを含む方法。

IPC (1件)：