特許
J-GLOBAL ID：201103059387048896

半導体装置の内部電源電圧発生回路

発明者：
下村 奈良和

下村 奈良和 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111818
公開番号（公開出願番号）：特開2002-304890
特許番号：特許第3868756号
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置の半導体チップ内に組み込まれた一つの電界効果トランジスタと複数の抵抗とで構成した分圧回路を有し、この分圧回路により、外部から供給される電源電圧を、電界効果トランジスタの導通・非導通によって2種の電圧に分圧し、この分圧した電圧を半導体チップ内に組み込まれた複数の電界効果トランジスタに内部電源電圧として供給する半導体装置の内部電源電圧発生回路であって、 前記分圧回路が、抵抗からなる第1の回路と、抵抗と前記電界効果トランジスタとの直列回路と抵抗とを並列に接続した第2の回路とを、直列に接続した電圧自動調整回路からなる半導体装置の内部電源電圧発生回路。
IPC (6件)：
G11C 11/413 ( 200 6.01) ,  G05F 3/24 ( 200 6.01) ,  G05F 3/26 ( 200 6.01) ,  G11C 16/06 ( 200 6.01) ,  G11C 17/18 ( 200 6.01) ,  G11C 11/407 ( 200 6.01)
FI (6件)：
G11C 11/34 335 A ,  G05F 3/24 A ,  G05F 3/26 ,  G11C 17/00 632 Z ,  G11C 17/00 306 Z ,  G11C 11/34 354 F
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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