半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-014373
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210609
特許番号：特許第3339485号
出願日： 2000年01月24日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に素子が設けられた素子領域と、この素子領域の周囲に設けられたスクライブ領域と、これらの素子領域とスクライブ領域に順次積層して設けられた層間絶縁膜、パッシベーション膜および保護膜とを有する半導体装置において、前記スクライブ領域の前記保護膜が前記素子領域の前記保護膜と連続して設けられ、かつ前記保護膜が、前記スクライブ領域の中央線部分に設けられずに、前記スクライブ領域の中央線に対して所定の距離に所定間隔で線対称的にパターニングされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：