半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-092610
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187969
出願日： 2011年04月19日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：

【課題】シリコン基板上にポリイミドなどからなる保護膜が形成された半導体装置の製造中に、保護膜の上面層が変質しても、この変質による悪影響が生じないようにする。【解決手段】ポリイミドなどからなる保護膜5に開口部6を形成したとき、保護膜5の開口部6を介して露出された接続パッド2の上面にポリイミドなどからなる残渣が残存する場合がある。そこで、次に、この残渣を酸素プラズマアッシングにより除去する。この場合、保護膜5の上面側に凸凹構造の変質層Aが形成される。次に、開口部4、6を介して露出された接続パッド2の上面に形成された自然酸化膜をアルゴンプラズマエッチングにより除去する。この場合、変質層Aがさらに変質して網目構造の変質層Cが形成される。次に、チタンなどからなる第1の下地金属層7を成膜する。この場合、第1の下地金属層7は網目構造の変質層Cの上面に成膜されるため、その界面の密着力は高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

上面に複数の接続パッドを有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、且つ、前記接続パッドに対応する部分に開口部を有する樹脂からなる保護膜と、前記保護膜の上面側にパターン形成された網目構造の変質層と、前記保護膜の開口部を介して露出された前記接続パッドの上面および前記変質層の上面に設けられた金属層とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/12 , H01L 23/52 , H01L 21/320 , H01L 21/768 , H01L 21/306

FI (5件)：

H01L23/12 501P , H01L21/88 T , H01L21/90 A , H01L21/302 104H , H01L21/302 102

Fターム (42件)：

5F004AA09 , 5F004BD01 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB25 , 5F004EB08 , 5F033HH11 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033KK08 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ27 , 5F033QQ42 , 5F033QQ46 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033QQ96 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033SS04 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033WW01 , 5F033WW02 , 5F033XX14

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法および配線基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-199382 出願人：株式会社日立製作所, 日立マクセル株式会社

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