特許
J-GLOBAL ID：200903036233611778
半導体装置の製造方法および配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-199382
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039017
出願日： 2003年07月18日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】ウエハレベルCSPの製造工程で生じる有機絶縁膜からのガス発生を抑制する。【解決手段】Cu配線2を挟む2層の絶縁膜(感光性ポリイミド樹脂膜5および最上層保護膜12)を共に感光性ポリイミド樹脂系の絶縁材料で構成し、最上層保護膜12は、下層の感光性ポリイミド樹脂膜5よりも低温で硬化する材料(低温硬化型樹脂)を使用し、硬化時の温度が、下層の感光性ポリイミド樹脂膜5を硬化させる際の温度を超えないようにする。これにより、最上層保護膜12を硬化させる際に下層の感光性ポリイミド樹脂膜5からのガス発生が抑制されるので、Cu配線2と感光性ポリイミド樹脂膜5との界面にガスが溜まって膨れを引き起こす不良を低減できる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
以下の工程を有する半導体装置の製造方法:
(a)半導体基板の主面上に、複数の半導体素子、複数の配線および前記複数の配線の一部によって構成された複数の内部接続端子を形成する工程、
(b)前記複数の配線の上部に無機絶縁膜を形成し、前記無機絶縁膜の表面に前記複数の内部接続端子を露出する工程、
(c)前記無機絶縁膜の上部に第1の温度で第1の有機絶縁膜を形成し、前記第1の有機絶縁膜の表面に前記複数の内部接続端子を露出する工程、
(d)前記第1の有機絶縁膜の上部に、それぞれの一端が前記内部接続端子に接続され、他端が外部接続端子を構成する複数の再配線を形成する工程、
(e)前記再配線の上部に前記第1の温度以下の第2の温度で第2の有機絶縁膜を形成し、前記第2の有機絶縁膜の表面に複数の前記外部接続端子を露出する工程、
(f)前記工程(e)の後、前記複数の外部接続端子のそれぞれに、前記第1の温度以下の第3の温度で電極を接続する工程。
IPC (3件)：
H01L23/12
, H01L21/3205
, H01L21/768
H01L23/12 501P
, H01L21/88 T
, H01L21/90 S
5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033HH17
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033JJ11
, 5F033JJ17
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033KK09
, 5F033MM08
, 5F033NN06
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ14
, 5F033QQ19
, 5F033QQ27
, 5F033QQ30
, 5F033QQ37
, 5F033QQ74
, 5F033QQ92
, 5F033QQ94
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033VV07
