特許
J-GLOBAL ID：201103060183059846
ホウ素含有半導体層の形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-105194
公開番号（公開出願番号）：特開平2-283016
特許番号：特許第3057253号
出願日： 1989年04月25日
公開日（公表日）： 1990年11月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】薄膜状の半導体層中へ絶縁膜を介してホウ素をイオン注入する工程と、ホウ素よりも質量数が大きく且つ電気的に不活性な元素を露出状態の前記半導体層中へイオン注入してこの半導体層を非晶質化させる工程と、前記非晶質化後のアニールで前記半導体層を結晶化させる工程とを具備することを特徴とするホウ素含有半導体層の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 21/336
, H01L 29/786
H01L 21/265 H
, H01L 29/78 616 L
, H01L 29/78 618 D
, H01L 21/265 F
