特許
J-GLOBAL ID：201103060481478789
縦型不揮発性半導体メモリセルおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
矢野 敏雄
, 山崎 利臣
, 久野 琢也
, アインゼル・フェリックス=ラインハルト
, ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-255055
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076153
特許番号：特許第4095779号
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 縦型不揮発性半導体メモリセルにおいて、
ドレイン領域(1)、チャネル領域(2)およびソース領域(3)を有する基板(20)と、
該基板(20)の表面に対し垂直に前記のソース領域(3)からドレイン領域(1)まで縦方向に形成されたトレンチ(5)と、
該トレンチの壁部に形成された第1の誘電層(8)と、
該第1の誘電層(8)に形成された電荷蓄積用の電荷蓄積層(9)と、
少なくとも部分的に該電荷蓄積層(9)の表面に形成された第2の誘電層(10)と、
該第2の誘電層(10)の表面に形成されたコントロール層(11,11′)が設けられていて、
前記トレンチ(5)の下方にトレンチ延長部(5′)が形成されており、該トレンチ延長部(5′)は、そのトレンチ表面に形成された第3の誘電層(6)と、該トレンチ延長部(5′)を少なくとも部分的に充填するための充填材料(7)を有しており、
該充填材料(7)は前記電荷蓄積層(9)の下方で前記ドレイン領域(1)に配置されており、前記トレンチ延長部(5′)の充填材料(7)は絶縁材料から成り電荷蓄積層(9)から電気的に絶縁されていて、該充填材料(7)により前記電荷蓄積層(9)の電荷損失が抑えられることを特徴とする、
縦型不揮発性半導体メモリセル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ( 200 6.01)
, H01L 29/788 ( 200 6.01)
, H01L 29/792 ( 200 6.01)
, H01L 27/115 ( 200 6.01)
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
