特許
J-GLOBAL ID:201103060854877344

不揮発性記憶装置およびデータ格納方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 玉村 静世
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-276000
公開番号(公開出願番号):特開2003-085034
特許番号:特許第3979486号
出願日: 2001年09月12日
公開日(公表日): 2003年03月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 コントローラとバッファメモリと不揮発性メモリとを有し、 上記バッファメモリは一定の容量単位であるバンクを4つ含むように構成され、 上記コントローラは、外部からの制御情報に応じて、第1のビット幅で外部から入力される第1データを上記バッファメモリの各バンクに順次格納させ、各バンクへの順次格納に並行して、データが格納されたバンクから順次データを前記第1のビット幅より大きい第2のビット幅で上記不揮発性メモリの指定した領域にバンクごとに転送させ、 上記不揮発性メモリは、上記指定した領域に4つのバンクのデータが格納された後、この4つのバンクのデータを1本のワード線に接続される不揮発性メモリセル単位として一括して上記不揮発性メモリのメモリセルヘ書込み、 上記コントローラは、上記メモリセルへの一括書込みと並行して、外部から入力される前記第1データに続く第2データを前記第1のビット幅で上記バッファメモリの各バンクに順次格納させる、不揮発性記憶装置。
IPC (4件):
G06F 12/00 ( 200 6.01) ,  G06F 12/06 ( 200 6.01) ,  G06K 19/07 ( 200 6.01) ,  G11C 16/02 ( 200 6.01)
FI (5件):
G06F 12/00 560 B ,  G06F 12/00 597 U ,  G06F 12/06 523 C ,  G06K 19/00 N ,  G11C 17/00 601 Z
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-063725   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平2-012308
  • 特開平1-320534
審査官引用 (3件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-063725   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開平2-012308
  • 特開平1-320534

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