特許
J-GLOBAL ID：201103060917527837

半導体装置の製造方法

発明者：
福田 昌利

福田 昌利 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 須山 佐一 ,  須山 英明 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  熊井 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-228833
公開番号（公開出願番号）：特開2011-077398
出願日： 2009年09月30日
公開日（公表日）： 2011年04月14日
要約：
【課題】2枚の半導体チップをフリップチップ接続したCOC構造の半導体装置を製造するにあたり、半導体チップの反りの発生を抑え、バンプ接続部における接続不良の発生を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】第1の半導体チップ11の表面に絶縁樹脂の硬化膜14を形成する工程(a)と、絶縁樹脂の硬化膜が形成された第1の半導体チップ上に第2の半導体チップ12をバンプ16を介してフリップチップ接続する工程(b)と、を含む半導体装置の製造方法であって、工程(a)では、前記絶縁樹脂を(A-50)°C以上(A+50)°C以下の温度(ここで、Aは前記バンプの凝固点である)で硬化させる半導体装置10の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電極が形成された第1の半導体チップの表面に、前記電極上に開口部を有する第1の絶縁樹脂硬化膜を形成する工程(a)と、前記第1の絶縁樹脂硬化膜が形成された第1の半導体チップ上に、第2の半導体チップをバンプを介してフリップチップ接続する工程(b)と、を含む半導体装置の製造方法であって、 前記工程(a)では、前記絶縁樹脂を(A-50)°C以上(A+50)°C以下の温度(ここで、Aは前記バンプの凝固点である)で硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/12 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60
FI (4件)：
H01L23/30 D ,  H01L23/12 501P ,  H01L25/08 B ,  H01L21/60 311Q
Fターム (10件)：
4M109AA02 ,  4M109BA04 ,  4M109CA10 ,  4M109EE01 ,  4M109EE06 ,  5F044KK05 ,  5F044LL01 ,  5F044LL05 ,  5F044QQ03 ,  5F044RR02
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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