特許
J-GLOBAL ID：201103061298884774

モノビニルアセチレンの製造方法

発明者：
西脇 建一郎

西脇 建一郎 について

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小林 峯登

小林 峯登 について

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竹内 孝夫

竹内 孝夫 について


出願人/特許権者：
電気化学工業株式会社

電気化学工業株式会社 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043284
公開番号（公開出願番号）：特開2000-239193
特許番号：特許第4001430号
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】塩化第一銅および、塩化アンモニウムおよび/または塩化カリウムの水溶液を用いてアセチレンからモノビニルアセチレンを製造する際に、下記の一般式(1)〜(7)で表されるアミノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩の1種以上を共存させることを特徴とするモノビニルアセチレンの製造方法。 (ここで、R1およびR3は水素、tert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基であって、nが0のときにはその少なくとも一方はtert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基である。R2は水素、tert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基であり、R2はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R1、R2およびR3はお互いに同一でも異なっていてもよい。nは0または1〜3の整数である。) (ここで、R4およびR6は水素、tert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基であって、nが0のときにはその少なくとも一方はtert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基である。R5は水素または水酸基であり、R5はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。またR4、R5およびR6はお互いに同一でも異なっていてもよい。nは0または1〜3の整数である。) (ここで、R9はCH2COOHまたはCH2CH2OHを表す。また、R9は互いに同一でも異なっていてもよい。nは0または1〜10の整数である。) (ここで、R10およびR11は水素、tert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基。R10はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R10とR11は互いに同一でも異なっていてもよい。nは1から10の整数である。) (ここで、R12およびR13は水素、tert-ブチル基、イソプロピル基、エチル基、メチル基または水酸基。R12はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。また、R12とR13は互いに同一でも異なっていてもよい。nは1から10の整数。)
IPC (4件)：
C07C 2/38 ( 200 6.01) ,  B01J 31/28 ( 200 6.01) ,  C07C 11/30 ( 200 6.01) ,  C07B 61/00 ( 200 6.01)
FI (4件)：
C07C 2/38 ,  B01J 31/28 X ,  C07C 11/30 ,  C07B 61/00 300
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • Wuji Huaxue Xuebao, 1995, Vol.11, No.1, p.89-92
審査官引用 (1件)
  • Wuji Huaxue Xuebao, 1995, Vol.11, No.1, p.89-92

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