特許

J-GLOBAL ID：201103061361622955

半導体装置の製造方法

発明者： 清水 竜 ,  嶋田 聡
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-306170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118047
特許番号：特許第3979776号
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下地膜に位置検出溝を形成した後、この下地膜上に第1の膜を成膜する工程と、前記下地膜をストッパ膜として前記第1の膜を平坦化する工程と、前記第1の膜上に第2の膜を成膜する工程とを備え、前記第2の膜表面の前記位置検出溝に対応して生成されるくぼみをアラインメントマークとして用いる半導体装置の製造方法であって、 前記第1の膜の成膜に先立ち、前記位置検出溝の近傍に該位置検出溝の開口幅よりも広い開口幅を有する平坦化抑制溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ( 200 6.01) ,  G03F 9/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/30 578 ,  H01L 21/30 502 M ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/88 K

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 半導体ウェハ及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-108664   出願人：新日本製鐵株式会社
• 発泡スチロールシートの製造方法及びその製造機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-342796   出願人：永松光洋
• 位置合わせマークおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191828   出願人：三菱電機株式会社
• アライメントマークと、それを用いた半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-184249   出願人：三洋電機株式会社