特許

J-GLOBAL ID：201103061830194013

磁界センサ

発明者： ブルース アルヴィン ガーニー ,  アーネスト イー マリネロ ,  シモーヌ ピサナ
出願人/特許権者： ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ
代理人 (1件)： 特許業務法人はるか国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-179572
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040750
出願日： 2010年08月10日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】 調整可能なグラフェンを用いた磁界センサを提供する。【解決手段】 グラフェンセンス層を採用する磁界センサであって、センス層内を移動する電荷キャリアに作用するローレンツ力が、グラフェン層内を移動する電荷キャリアの経路に変化をもたらす。磁界の存在を示すこの経路の変化を検出することができる。センサは、非磁性の電気的絶縁材料によってグラフェン層から分離される1つまたは複数のゲート電極を含む。ゲート電極へのゲート電圧の印加により、グラフェン層の電気抵抗が変化し、このゲート電圧の印加を用いて、センサの感度および速度を制御することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

1または複数のグラフェンのシートを含むnグラフェン層と、 前記nグラフェン層に接続され、前記nグラフェン層に電流を供給し、かつ磁界の存在に応じた電圧変化の測定に使用される複数の電極と、 前記nグラフェン層から非磁性の電気的絶縁材料によって分離されたゲート電極と、 を備える磁界センサ。

IPC (5件)：

H01L 43/06 ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08 ,  G01R 33/07

FI (5件)：

H01L43/06 S ,  G11B5/39 ,  G01R33/06 R ,  H01L43/08 S ,  G01R33/06 H

Fターム (25件)：

2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  2G017CB26 ,  5D034BA00 ,  5D034BA21 ,  5F092AA01 ,  5F092AA12 ,  5F092AB01 ,  5F092AC02 ,  5F092AC04 ,  5F092AC24 ,  5F092AD07 ,  5F092BA02 ,  5F092BA16 ,  5F092BA19 ,  5F092BA21 ,  5F092BA22 ,  5F092BA32 ,  5F092BB05 ,  5F092BB41 ,  5F092BB47 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BD12 ,  5F092BD16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-218079
  
• グラフェン集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163856   出願人：国立大学法人北海道大学