グラフェン集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鷲田公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-163856
公開番号（公開出願番号）：特開2007-335532
出願日： 2006年06月13日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】グラフェンを含む非線形素子を集積化する技術を提供し、半導体の集積度を向上させる。【解決手段】シリコンカーバイド基板のシリコン面に形成されたグラフェンを含む非線形素子を有するグラフェン集積回路、及びその製造方法。当該製造方法は、絶縁膜で被覆されたシリコン面を有するシリコンカーバイド基板を準備する工程、複数の所望の部位の前記絶縁膜を除去してシリコン面を露出させる工程、前記シリコンカーバイド基板を加熱することによって前記露出部位にグラフェンを形成する工程、及び前記グラフェンにオーミック電極を形成する工程を含むか、或いはシリコン面を有するシリコンカーバイド基板を加熱することによって当該シリコン面にグラフェンを形成する工程、前記グラフェンをアイソレーションする工程、前記アイソレーションにより形成された溝に絶縁膜を形成する工程、及び前記グラフェンにオーミック電極を形成する工程を含みうる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコンカーバイド基板のシリコン面に形成されたグラフェンを含む非線形素子を有するグラフェン集積回路。

IPC (6件)：

H01L 29/06 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 43/08 , H01L 29/82

FI (5件)：

H01L29/06 601N , H01L29/78 301B , H01L27/08 102B , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z

Fターム (31件)：

5F048AB01 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BD09 , 5F048BF16 , 5F048BG11 , 5F092AC06 , 5F092AC21 , 5F140AA39 , 5F140AB03 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BC17 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17

引用特許：

審査官引用 (2件)

炭素からなる骨格を持つ薄膜状粒子を基板に載せた構造物およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-032881 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
ナノカーボン材料のパターン形成方法、並びに、半導体デバイス及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-162966 出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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