特許

J-GLOBAL ID：201103061905496665

半導体処理装置及びウェハの加熱制御方法

発明者： 小野 洋子 ,  古川 長樹
出願人/特許権者： 芝浦メカトロニクス株式会社
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-091418
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284257
特許番号：特許第3886320号
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 反応容器と、この反応容器内に配置されウェハを支持するホルダーと、前記反応容器内に配置され前記ウェハの少なくとも中心部及び最外周部のゾーンに対応した部分を夫々加熱する複数のヒータと、これらのヒータに接続されたコントローラとを具備した半導体処理装置において、 前記コントローラは、前記ウェハが前記反応容器内にセットされる直前に、前記ウェハの中心部に対応する前記ヒータに対し反応時より高めのパルス状のパワーを加えることを特徴とする半導体処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  C23C 16/46 ( 200 6.01) ,  C23C 16/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/683 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/68 N

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体基板上に薄膜を形成する成膜装置における成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-134072   出願人：日本エー・エス・エム株式会社
• 半導体装置の製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025318   出願人：株式会社東芝
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-009093   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社