特許

J-GLOBAL ID：201103062388427832

半導体装置の製造方法

発明者： 小西 正樹 ,  藤原 広和 ,  勝野 高志 ,  渡辺 行彦 ,  遠藤 剛 ,  山本 武雄
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-291420
公開番号（公開出願番号）：特開2011-134809
出願日： 2009年12月22日
公開日（公表日）： 2011年07月07日
要約：

【課題】 第1導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第2導電型の半導体領域が形成されているSiC半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。【解決手段】 半導体層14の上面にNi又はNiを含む合金で形成される第1層24を形成する。第1層形成工程によって形成された第1層24の上面に酸化シリコンで形成される第2層26を形成する。第2層形成工程によって形成された第2層のうち半導体領域18に対応する部分を除去する。除去工程後に、第1層及び第2層の上面側から半導体層14に向かって第2導電型の不純物イオンを照射する。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

炭化珪素を材料とする第1導電型の半導体層に、その半導体層の上面の一部に露出する第2導電型の半導体領域が形成されている半導体装置を製造する方法であって、 半導体層の上面にNi又はNiを含む合金で形成される第1層を形成する第1層形成工程と、 第1層形成工程によって形成された第1層の上面に酸化シリコンで形成される第2層を形成する第2層形成工程と、 第2層形成工程によって形成された第2層のうち前記半導体領域に対応する部分を除去する除去工程と、 除去工程後に、第1層及び第2層の上面側から半導体層に向かって第2導電型の不純物イオンを照射する不純物イオン照射工程と、 を有する半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/265

FI (3件)：

H01L21/265 Z ,  H01L21/265 H ,  H01L21/265 602A

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-005750   出願人：松下電器産業株式会社