特許

J-GLOBAL ID：201103062451816070

メモリセル装置およびその製造方法

発明者： ヨゼフ ヴィラー ,  ハンス ライジンガー ,  ティル シュレッサー ,  ラインハルト シュテンクル
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-610066
特許番号：特許第3961223号
出願日： 2000年03月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1の表面(O1)および該第1の表面に対向して配置された第2の表面(O2)を有する基板(S)を有し、 ビット線(B)を有し、 前記ビット線に接続され前記第1の表面(O1)上に接して配置されたMOSトランジスタを有し、 電極を備え、前記基板の第2の表面(O2)上に接して配置されたコンデンサを有し、 基板(S)内に配置され前記MOSトランジスタにコンデンサを接続するコンタクト(K)を有し、該コンタクト上に接して前記コンデンサの電極が配置されており、 前記第2の表面(O2)に接して配置されたアイソレーション層(I3)を有し、前記コンタクト及び前記アイソレーション層は平坦化された表面を形成している、 メモリセル装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 ( 200 6.01) ,  H01L 27/108 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 27/10 671 C ,  H01L 27/10 671 A ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 444 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体メモリ装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-114394   出願人：三星電子株式会社