特許

J-GLOBAL ID：201103062822879240

放電プラズマ処理装置

発明者： 登坂 昌久
出願人/特許権者： 積水化学工業株式会社
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118182
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309870
特許番号：特許第3357315号
出願日： 1999年04月26日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 放電プラズマを発生させる対向電極と、この対向電極間の放電空間内に基材を連続的に走行させる基材走行系と、放電空間内に処理用ガスを対向電極の前方側から供給する処理用ガス導入口を備え、放電空間内に基材を走行させながら、対向電極間にパルス電界を印加することにより放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いて基材の表面に薄膜を形成する装置において、対向電極の前後に、当該対向電極間の隙間よりも狭い空隙を形成するスカート状カバーを設けるとともに、処理用ガス導入口の前方側に加圧用ノズルを設け、その加圧用ノズルから、対向電極の一方の電極とスカート状カバーとの間にガスを供給して、処理用ガス導入口の前方部を、対向電極間よりも加圧することを特徴とする放電プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/455 ,  C08J 7/00 306

FI (3件)：

C23C 16/54 ,  C23C 16/455 ,  C08J 7/00 306

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-045623   出願人：ソニー株式会社