特許
J-GLOBAL ID：201103062837350416
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
机 昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015709
特許番号：特許第3439381号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 上部電極、誘電体膜、下部電極からなるキャパシタを有する半導体装置の製造方法において、前記下部電極の形成方法が、同じ減圧CVD装置内で半導体基板の一主面上に不純物が添加されたまたは不純物が添加されない第1のシリコン膜と前記第1のシリコン膜よりも少なくとも高濃度の不純物が添加された第2のシリコン膜を非晶質に連続的に形成する工程と、前記第1のシリコン膜と前記第2のシリコン膜を所望の形状に加工する工程と、SiH4ガス雰囲気で加熱後、真空中で所望の時間アニールし、前記第1のシリコン膜と第2のシリコン膜の露出表面に半球状シリコン結晶粒を形成する工程とを含み、前記第1のシリコン膜および前記第2のシリコン膜に添加された不純物が、燐または砒素であり、それらのシリコン膜の不純物が互いに異なることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/8242
, H01L 21/205
, H01L 27/108
H01L 21/205
, H01L 27/10 621 Z
, H01L 27/10 621 B
