特許

J-GLOBAL ID：201103062938159237

マスクパターン補正方法及び補正装置

発明者： 小谷 敏也 ,  田中 聡 ,  井上 壮一 ,  山元 和子 ,  小林 幸子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  河井 将次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-251014
公開番号（公開出願番号）：特開2002-062633
特許番号：特許第4068290号
出願日： 2000年08月22日
公開日（公表日）： 2002年02月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 マスクに形成されたパターンがウェハ上に設計値通りに転写されるように、マスクにパターンを形成する際の元となる設計パターンを補正するマスクパターン補正方法であって、 前記設計パターンの各エッジ毎にその周辺環境に基づいて該エッジの最大移動可能量を決定する工程と、決定された最大移動可能量に応じて前記設計パターンのエッジを移動させる工程とを含むことを特徴とするマスクパターン補正方法。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ( 200 6.01) ,  G06F 17/50 ( 200 6.01) ,  G06T 1/00 ( 200 6.01)

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G06F 17/50 658 M ,  G06T 1/00 305 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体製造プロセスの光近接効果補正方法およびマスクデータ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-355239   出願人：日本電気株式会社