特許

J-GLOBAL ID：201103063068435949

In-Ga-Zn系酸化物、酸化物焼結体、及びスパッタリングターゲット

発明者： 矢野 公規 ,  糸瀬 将之 ,  川嶋 浩和
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264084
公開番号（公開出願番号）：特開2011-105561
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。【解決手段】インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、 X線回折測定(Cukα線)により、入射角(2θ)が、7.0°〜8.4°、30.6°〜32.0°、33.8°〜35.8°、53.5°〜56.5°及び56.5°〜59.5°の各位置に回折ピークが観測され、 かつ、2θが30.6°〜32.0°及び33.8°〜35.8°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、 X線回折測定(Cukα線)により、入射角(2θ)が、7.0°〜8.4°、30.6°〜32.0°、33.8°〜35.8°、53.5°〜56.5°及び56.5°〜59.5°の各位置に回折ピークが観測され、 かつ、2θが30.6°〜32.0°及び33.8°〜35.8°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。

IPC (3件)：

C04B 35/00 ,  C04B 35/453 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C04B35/00 J ,  C04B35/00 P ,  C23C14/34 A

Fターム (8件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA27 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2009-506414   出願人：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド