特許
J-GLOBAL ID：201103063304399231

半導体集積回路の製造方法

発明者：
岡田 圭一

岡田 圭一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006116
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196374
特許番号：特許第3395747号
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の半導体基板の表面を酸化して下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜に当該下地絶縁膜を厚さ方向に貫通する外部接続用スルーホールを形成する工程と、前記下地絶縁膜の表面上に第2の半導体基板を一体的に貼り合わせ、かつ前記第2の半導体基板の表面を研磨して所要の厚さの半導体層として形成する工程と、前記半導体層にトランジスタ等の素子を形成するとともに、前記外部接続用スルーホールに接続する埋め込みスルーホールを前記半導体層の厚さ方向に形成する工程と、前記半導体層の表面上に1以上の層間絶縁膜及び配線層を形成して前記素子と前記埋め込みスルーホールとの電気接続を行う工程と、前記第1の半導体基板を研磨して除去する工程と、露出された前記下地絶縁膜の裏面に前記外部接続用スルーホールに接続される電極パッドを形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12 ,  H01L 27/12
FI (7件)：
H01L 21/66 C ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 C ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 21/90 C ,  H01L 23/12 L
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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