特許

J-GLOBAL ID：201103063409355183

不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者： 高野 憲輔 ,  小澤 良夫 ,  関根 克行 ,  和田 純一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-139529
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287683
出願日： 2009年06月10日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】フォーミング電圧を下げ、フォーミングを効率化し、リセット電流を低減した抵抗変化型の不揮発性記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1導電層101と、第2導電層102と、前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられた第1抵抗変化層111と、前記第1抵抗変化層の側面に設けられた第1側面層112と、を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置が提供される。第1抵抗変化層においては、印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって電気抵抗が変化する。第1側面層においては、第1抵抗変化層よりも酸素濃度が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電層と、 第2導電層と、 前記第1導電層と前記第2導電層との間に設けられ、印加される電界及び通電される電流の少なくともいずれかによって電気抵抗が変化する第1抵抗変化層と、 前記第1抵抗変化層の側面に設けられ、前記第1抵抗変化層よりも酸素濃度が高い第1側面層と、 を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (18件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA05 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-295962   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-051001   出願人：松下電器産業株式会社