特許

J-GLOBAL ID：200903043831207554

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 永嶋 宏行 ,  久保 光一 ,  井上 裕文
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (2件)： 伊丹 勝 ,  田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-295962
公開番号（公開出願番号）：特開2009-123900
出願日： 2007年11月14日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：

【課題】新たな可変抵抗素子を用いた、セル状態の安定性及びデータ保持性を向上させた不揮発性半導体装置を提供する。【解決手段】複数の第1の配線27と、これら複数の第1の配線27と交差する複数の第2の配線36と、第1及び第2の配線27,36の交差部で両配線間に接続され、遷移元素となる陽イオンを含む複合化合物であって陽イオンの移動により抵抗値が変化し、この抵抗値の変化で情報を記憶する可変抵抗素子31を含むメモリセルMCと、可変抵抗素子31の側面を覆い可変抵抗素子31の側面での陽イオンの移動を抑制する保護膜33とを備えた。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

複数の第1の配線と、 これら複数の第1の配線と交差する複数の第2の配線と、 前記第1及び第2の配線の交差部で両配線間に接続され、抵抗値の変化で情報を記憶する可変抵抗素子を含むメモリセルと、 前記可変抵抗素子の側面を覆い前記可変抵抗素子の側面での陽イオンの移動を抑制する保護膜と を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (25件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA11 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA01 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-059057   出願人：シャープ株式会社
• 相変化メモリ装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-582773   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-209697   出願人：シャープ株式会社
• 4F2のセルサイズで2Rメモリを有する3次元RRAMの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205878   出願人：シャープ株式会社
• 不揮発性プログラマブルメモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-511326   出願人：ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション