特許
J-GLOBAL ID：201103063956771795

太陽電池モジュールの製造方法

発明者：
野村 卓司

野村 卓司 について


出願人/特許権者：
株式会社カネカ

株式会社カネカ について


代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286839
公開番号（公開出願番号）：特開2001-111072
特許番号：特許第4132479号
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1と第2の主面を有する透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板の第1の主面上に順次積層された透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層からなる太陽電池セルと、前記透明絶縁基板の第2の主面における、透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層のスクライブ線を含む領域以外に対応する領域上に形成された防眩膜とを備えた太陽電池モジュールを製造するにあたり、 前記透明絶縁基板の第2の主面において、透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層をスクライブするためにレーザー照射する領域以外に対応する領域上に防眩膜を形成する工程と、 前記防眩膜を形成した後、前記透明絶縁基板の第1の主面上に形成された透明電極層に透明絶縁基板を通してレーザー照射することにより透明電極層をスクライブする工程と、 前記透明電極層上に半導体光電変換層を形成した後、半導体光電変換層に透明絶縁基板を通してレーザー照射することにより半導体光電変換層をスクライブする工程と、 前記半導体光電変換層上に裏面電極層を形成した後、裏面電極層に透明絶縁基板を通してレーザー照射することにより裏面電極層をスクライブする工程と を具備したことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 31/04 F
引用特許：
審査官引用 (9件)
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