特許
J-GLOBAL ID:201103064197171890

電力用スイッチング半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 青山 葆 ,  河宮 治
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-506621
特許番号:特許第3580794号
出願日: 1999年06月29日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体基板の表主面に複数のセグメントに分割され、多重同心円のセグメント列をなす第1の主電極と、前記セグメントを取り囲む制御電極が、裏主面に第2の主電極が夫々形成され、前記制御電極から入力された制御信号で、前記第1の主電極と第2の主電極間をターンオンさせる電力用スイッチング半導体装置において、0<B≦α×Aα≦1.5(D-C)/2≦β×Aβ≦1.5但し A:セグメントの円周方向幅B:セグメントの円周方向配列間隔C:内側セグメント列の外径D:外側セグメント列の内径なる関係に構成されたことを特徴とする電力用スイッチング半導体装置。
IPC (1件):
H01L 29/744
FI (1件):
H01L 29/74 C
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • GTOサイリスタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-280601   出願人:シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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