特許

J-GLOBAL ID：201103064420230879

排ガスの浄化方法及び浄化装置

発明者： 竹本 菊郎 ,  元木 健作 ,  松島 政人 ,  大塚 健二 ,  村永 直樹 ,  網島 登
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  日本パイオニクス株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-099796
公開番号（公開出願番号）：特開2000-288342
特許番号：特許第4444389号
出願日： 1999年04月07日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 金属ガリウムに塩化水素ガスを流通して発生する塩化ガリウム(GaCl)ガスをガリウム源としてこれとアンモニアとの反応により気相成長させて成膜する窒化ガリウム膜半導体の製造装置からの排ガスを処理する湿式吸収法排ガス浄化方法において、該製造装置と湿式吸収法排ガス浄化装置とを接続する配管と該配管内の排ガス流量との関係を、該配管の断面積(cm2)で排ガス流量(cm3/秒)を除した値と該配管の長さ(cm)との積が100から25000の範囲となるようにしたことを特徴とする排ガスの浄化方法。

IPC (8件)：

B01D 53/58 ( 200 6.01) ,  B01D 53/34 ( 200 6.01) ,  B01D 53/68 ( 200 6.01) ,  B01D 53/77 ( 200 6.01) ,  C23C 16/34 ( 200 6.01) ,  C23C 16/44 ( 200 6.01) ,  C30B 25/14 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01)

FI (7件)：

B01D 53/34 131 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 134 B ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (2件)

• スクラバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093904   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平3-109922
  

審査官引用 (2件)

• スクラバ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-093904   出願人：日立電子エンジニアリング株式会社
• 特開平3-109922