特許
J-GLOBAL ID：201103064481629383

セラミック回路基板の製造方法

発明者：
荒木 英明

荒木 英明 について

, 
中居 俊博

中居 俊博 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-313414
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124590
特許番号：特許第4613410号
出願日： 2000年10月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁基体の表面に露出したAuめっきの施されたビア導体に半導体チップがワイヤボンドによって接続されるセラミック回路基板の製造方法において、前記絶縁基体を形成する複数枚のセラミックグリーンシートに孔を穿設し、Ag系導体からなる金属ペーストを前記孔に充填して前記絶縁基体の表面に露出するビア導体を形成すると共に前記セラミックグリーンシートの表面に配線パターンを形成し、前記複数枚のセラミックグリーンシートを重ね合わせて積層体を形成する工程と、前記積層体を800〜1000°Cで加圧しながら焼成して焼結体を形成する工程と、前記焼結体および前記絶縁基体の表面に露出している前記ビア導体の表面を研磨して絶縁基体を形成するとともに、前記ビア導体の表面を研磨することにより前記ビア導体の表面近傍の金属粒子間のポアを埋める工程と、前記絶縁基体の表面に露出する前記ビア導体にAuめっきを施す工程とを有することを特徴とするセラミック回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01) ,  H05K 3/46 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 W ,  H05K 3/46 H ,  H05K 3/46 N
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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