特許
J-GLOBAL ID：201103064552035609
光検出器の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
山川 政樹
, 黒川 弘朗
, 山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-047582
公開番号（公開出願番号）：特開2011-180555
出願日： 2010年03月04日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：
【課題】シリコン導波路に対する損傷が抑制された状態で、シリコン細線導波路とゲルマニウム受光器とをモノリシックに形成できるようにする。【解決手段】一部のシリコンコア132が露出するレジストマスクを形成し、これをマスクにしたイオン注入技術により、一部のシリコンコア132にp型不純物を導入し、酸化シリコン層102の上に、p型シリコンコア132aを形成する。次に、酸素雰囲気で、900°C・10分程度の条件で加熱処理することで、熱酸化膜107,107aを、シリコンコア131およびp型シリコンコア132aに形成する。【選択図】 図1H
請求項（抜粋）：
酸化シリコンからなる下部クラッド層の上にシリコンからなるシリコンコアを形成する第1工程と、
一部の前記シリコンコアに第1導電型の不純物を導入して第1導電型領域を形成する第2工程と、
前記シリコンコアの表面を熱酸化することで、前記シリコンコアの表面に熱酸化膜を形成する第3工程と、
前記下部クラッド層の上に前記熱酸化膜が形成された前記シリコンコアを覆うように酸化シリコンおよび酸窒化シリコンより選択された材料から構成された上部クラッド層を形成する第4工程と、
前記シリコンコアの前記第1導電型領域の一部が露出する開口部を前記上部クラッド層および前記熱酸化膜に形成する第5工程と、
前記第1導電型領域の露出部に接してゲルマニウム層を選択的に形成する第6工程と、
前記ゲルマニウム層の上層に第2導電型の不純物を導入して第2導電型領域を形成し、前記第1導電型領域,前記ゲルマニウム層,および前記第2導電型領域より構成されたゲルマニウム受光器を形成する第7工程と
を少なくとも備え、
前記上部クラッド層は、前記シリコンコアの熱酸化が抑制される温度条件の範囲で形成する
ことを特徴とする光検出器の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
2H147AB05
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147FA05
, 2H147FA17
, 2H147FA27
, 2H147FC05
, 2H147FF08
