特許

J-GLOBAL ID：201103064801346270

半導体基板上に形成される高精度高周波数キャパシタ

発明者： ヘイム・ゴールドバーガー ,  シク・ルイ ,  ジャセック・コレック ,  ワイ・モハメッド・カセム ,  ハリアント・ウォング ,  ジャック・ファン デン ホイベル
出願人/特許権者： ビシェイ・インターテクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279888
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176106
特許番号：特許第3943879号
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】キャパシタであって、 第一及び第二の主面を有し、所定の導電形式の物質をドープされた半導体基板と、 前記基板の前記第一主面上に形成された誘電層と、 前記誘電層上に形成された主電極層と、 前記基板の前記第二の主面上に形成された導電層と、 前記基板を貫通する導電性物質を含むビアと、 前記基板の前記第一の主面上に形成された第二電極層とを有し、 前記誘電体層によって分離された前記半導体基板と前記主電極層とが、前記キャパシタの両プレートを構成し、 前記ビア中の導電性物質によって前記導電層と第二電極層とが電気的に接続されていることを特徴とするキャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  H01G 4/33 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-207011
  
• マイクロ波集積回路装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-176382   出願人：株式会社東芝