電子デバイス及びこれを用いた光センサーとガスセンサー

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-233113
公開番号（公開出願番号）：特開2011-080852
出願日： 2009年10月07日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がMoOxであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板上にナノ素子を形成したデバイスであって、前記素子中に炭素が含有されていないことを特徴とする電子デバイス。

IPC (6件)：

G01N 27/12 , H01L 31/026 , G01J 1/02 , G01N 27/04 , C23C 16/40 , C23C 16/44

FI (7件)：

G01N27/12 C , H01L31/08 M , G01J1/02 N , G01N27/04 E , G01N27/12 B , C23C16/40 , C23C16/44 A

Fターム (39件)：

2G046AA01 , 2G046AA09 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC03 , 2G046BC05 , 2G046DC13 , 2G046EA04 , 2G046FB02 , 2G046FE22 , 2G046FE31 , 2G046FE44 , 2G060AA01 , 2G060AE19 , 2G060AF07 , 2G060AG06 , 2G060AG08 , 2G060AG10 , 2G060AG15 , 2G065AA04 , 2G065AB02 , 2G065AB04 , 2G065AB05 , 2G065BA02 , 4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA12 , 4K030BA42 , 4K030BB14 , 4K030CA06 , 4K030CA12 , 4K030FA12 , 5F088AA20 , 5F088AB01 , 5F088CB06 , 5F088FA05 , 5F088FA12 , 5F088GA02

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