特許

J-GLOBAL ID：201103064875829639

III族窒化物半導体単結晶の作製方法及びIII族窒化物半導体単結晶の使用方法

発明者： 赤▲崎▼ 勇 ,  天野 浩 ,  上山 智 ,  岩谷 素顕 ,  中村 亮
出願人/特許権者： 学校法人 名城大学 ,  独立行政法人日本学術振興会
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-198719
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016009
特許番号：特許第3634243号
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】所定の単結晶基板の主面上に、緩衝層を結晶成長により形成する工程と、前記緩衝層の主面上に、下地層を結晶成長により形成する工程と、前記下地層の主面からエッチングを施すことにより前記下地層を部分的に除去し、前記下地層にステップ状の底面を有する第1の凹部を形成する工程と、少なくとも前記下地層の主面上に、前記第1の凹部の段差を残存させるようにして、前記凹部を含む前記下地層の全面に中間層を結晶成長により形成する工程と、前記中間層上に、前記第1の凹部に起因した段差を埋めるようにして第1のIII族窒化物半導体層を前記中間層からの結晶成長により形成する工程と、を含むことを特徴とする、III族窒化物半導体単結晶の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/302