プラズマ処理方法

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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 内藤浩樹 , 永野大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-231431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-038950
特許番号：特許第4239445号
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空槽内にガスを供給しつつ排気し、所定の圧力に制御しながら、前記真空槽に設けられた金属イオンプラズマ源によりプラズマを発生させると共に、基体保持台にバイアス電圧を印加することで、前記基体保持台に載置される基体を処理するプラズマ処理方法であって、金属イオンプラズマ源からパルス状にプラズマを発生させ、前記プラズマが前記基体近傍を通過して行くのに同期して前記基体にバイアス電流が検知された時刻から、基体保持台に印加するバイアス電圧を増加させ、かつ、前記プラズマが前記基体近傍を通過移動した後には前記基体上にプラズマが残らないことを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：