特許

J-GLOBAL ID：201103064992269407

β-FeSi2素子の電極形成方法及びその装置

発明者： 牧田 雄之助 ,  中山 靖彦
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235664
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051462
特許番号：特許第3730544号
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体のβ-FeSi2 素子の電極形成方法であって、 大気または不活性ガス雰囲気において、前記β-FeSi2 材料表面部分の全部または一部分を、加熱することによって前記β-FeSi2 材料をα-Fe2 Si5 金属相に相転移させ、その後、該相転移させた部分を冷し、室温に戻して導電性の良い電極にする際に、ステージに載せた試料表面の一点に加熱源を当ててα-Fe2 Si5 相化し、次に加熱する場所は、接続した隣り合う場所にしないで、熱が波及しないほど離れた位置の一点へ加熱源を移動させて加熱し、その間に先に加熱した点の冷却により、既に冷却している点に接して次いで加熱源を当てることによって加熱/金属化を行い、この加熱冷却の操作を繰り返しながら金属化部分の連結によって所望の電極パターンを形成することを特徴とするβ-FeSi2 素子の電極形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/88 M