特許
J-GLOBAL ID：201103065026883871
パワー半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
鈴木 市郎
, 武 顕次郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-226342
公開番号（公開出願番号）：特開2003-046035
特許番号：特許第3705755号
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 底面金属基板を備えた一方の面と、該一方の面に対向し複数の端子が配置された他方の面と、前記一方の面と前記他方の面とを結ぶ外周面とを備え、複数のIGBT素子を内蔵させた樹脂封止方式の内部絶縁型パワー半導体装置において、 前記複数の端子のうち、前記IGBT素子の制御端子は、前記他方の面にそのまま配置し、前記IGBT素子に主電流を流す主端子は、前記他方の面から離間させた面に配置し、 前記他方の面と前記外周面との接続部の全周に、当該外周面から延在させた絶縁壁部を設け、 前記一方の面から測った前記他方の面の高さをH1とし、前記一方の面から測った前記主端子が配置されている面の高さをH2とし、前記一方の面から測った前記絶縁壁部の端部の高さをH3としたとき、H1<H3<H2の関係が満たされていることを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 25/11
, H02M 1/00
, H02M 7/48
H01L 23/28 K
, H02M 1/00 E
, H02M 7/48 Z
, H01L 25/10 B
