特許

J-GLOBAL ID：201103065133560961

電極膜の形成方法

発明者： 米田 昌行 ,  越戸 義弘 ,  戸瀬 誠人 ,  中川 賢俊
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148853
公開番号（公開出願番号）：特開2001-329365
特許番号：特許第3651360号
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】1×10-4Pa以上5×10-3Pa以下の背圧で基板上に高融点金属の成膜を開始した後、成膜された基板を真空中でアニールすることによって該電極膜の電気抵抗率を小さくすることを特徴とする電極膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C 14/58 ,  C23C 16/56 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22

FI (5件)：

C23C 14/58 A ,  C23C 16/56 ,  H01L 41/08 L ,  H01L 41/18 101 A ,  H01L 41/22 Z

引用特許：

出願人引用 (1件)

• タングステン膜の製造方法ならびに薄膜ヒーターとその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274863   出願人：シチズン時計株式会社, ソニー株式会社